探路超大容量SSD，铠侠试验7bit/cell NAND；三星惊传所有事业群「暂停自产」

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英特尔直到如今暂定2nm制程，原订2025年值产

6年底17日，英特尔在 2022年技术整合讲座上简介了关于将会精良制程的信息，N3手工将于2022年末值产，后续还有N3E、N3P、N3X等，N2（2nm）手工将于2025年值产。

N2不足之处，英特尔指为这是其第一个采用环绕器件真空管 (GAAFET) 的路由器，而非如今的FinFET（鳍结构设计场效应真空管）。新的工业用手工将提供年底的精度和负载绝对优势。在相同浮点运算下，N2比N3E较慢10~15%；相同速度下，浮点运算降高25~30%。不过，与N3E相较，N2仅将微处理器运动速度减少了10%近。

N2手工随之而来了两项重要的创新：激光片真空管（英特尔指为之为GAAFET）和backside power rail。GAA激光片真空管的通道在所有四个侧面都被器件突入，从而缩减了篡改；此部份，它们的通道可以较宽以减少驱动电流并减少精度，也可以缩小以最大限度地降高浮点运算和成本高。为了给这些激光片真空管提供足够的负载，英特尔的N2采用backside power rail，英特尔普遍认为这是在back-end-of-line (BEOL) 里面敌对电阻的最佳系统设计子之一。

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百企致信，美科技业呼吁美国国会要求通过520亿美元补助案子

据台媒《经济日报》报道，美国集成电路协会成员合计107家科技厂家，15日致信传讯给美国政府，共同讲出呼吁520亿美元的补助案子应过关。该信函除了英特尔、英伟达、AMD与惠普等大企业最高主管，英特尔副总经理刘德音、联发科副总经理蔡明介也共同所写支持。

美国政府无论如何倡议520亿美元集成电路补助修正案子，迟迟未能后文，美国集成电路协会（SIA）成员致信传讯呼吁美国政府推崇该政策。依据公开文件，该信函盼望总额520亿美元的不足之处补助政策早日过关，以促进美国集成电路工业用和研发。