千禧年还可以继续吗？

一个从新兴的其设计理念是利用第三个的点(侧向的点)意味着万亿级的实现(TSI)，将数万亿真空管实现到单片或移位CPU里面，并以千分之每毫米过于比特的无线高压电通信反应速度透过高压电学或虹学高压电子元件元件(每毫米所称CPU中间的无线高压电通信端口英哩)。例如，一个3D NAND存储器高压电路(基于NAND逻辑上门并在断高压电时保握良好其状态)可以有近200层和5000亿个驱动器真空管。从新兴的逻辑上真空管采行从新触点涂料(如过渡阶段锆二硫代既有物和锰)，可以在高热下手工并嵌入高压电子元件元件堆栈里面，给予了大幅度改进的可视。

第建模度也锁上了逻辑上、缓存和负载真空管侧向异构实现的只不过性。通过穿孔传统工艺，侧向连接CPU的丝线，CPU可以移位在一起，使它们在高压电学上差不多，可以将瞬时延后总和既有并降低耗电量。侧向移位的逻辑上和驱动器CPU也使从新算显现出认识论成为只不过，如“缓存算显现出”——“compute-in-memory.”。单片3D电子元件将由非同高压电路层以及连接它们的丝线构成，如2D逻辑上真空管、毛细模版驱动器器和铁高压电贝克曼管。

早先烧录关键技术有了从新不足之处，如硼里面介层和多CPU实现——在3DCPU和衬底中间，创造了越来越稀疏的外侧高压电子元件元件和越来越短时间的CPUSSL。现代既有的烧录通过依此实现将逻辑上、缓存、高压电源经营管理、无线高压电通信和虹高压电结合在一起，其可以与移位或单片3D电子元件相媲美。

单片3D实现建议生长或沉降步骤不阻碍并未执行的层。例如，嵌入高压电子元件元件堆栈里面的真空管只能在足够低的环境温度下沉降，以免阻碍后面Si真空管的锂特点。除非开发显现出特殊的传统工艺，所需的涂料往往不相容性。移位并未执行过的2DCPU以意味着3D子系统有其自身在涂料和手工上的再一，比如在1~5微米英哩上保握良好高压电子元件元件对齐。Si较低低压逻辑上和驱动器真空管、复合电子元件负载和较低频真空管等框架的异质实现，带来了另一组多样的实现再一。

真空管在文书工作时显然地诱发热力力，敛热力是当今高压电子元件高压电路的一个关键难题。事实上，在异构IC里面，逻辑上、驱动器器、负载真空管和高压电感中间的热力串扰（ thermal cross-talk ）给高压电路其设计带来了前所未有的再一。当数以万亿计的真空管被一侧放有时，敛去热力力的从新步骤(只不过是仿效生物的环境温度闭环)和热力无意识其设计将变得至关重要。

高压电子元件子系统只能尽只不过一段时间的安全性，通常是10年，也有些关键技术的发展需几十年的安全性。要保障一个拥有1000亿个真空管的实现高压电只能有1-10个真空管发生故障，就需假设千万亿(~ 10^18)个真空管的安全性。实际上，安全性一般是通过不时是过几千个真空管的短期较短时间飞行测试来确定的。因此，这些从新子系统的“磨损”和安全性高压电学需以前所未有的精确度来表达出来。当如此多的仪器相高压电子元件元件接并放有在很近的地方时，从新现象就就会显现，只能对这些现象透过经营管理或利用。

将来的万亿级子系统将从根本上不同于今天的千兆级子系统，因为表达出来一个子系统的实现模块并不能直接帮助我们表达出来这些模块中间是如何耦合的——只不过就会有从新现象逐步逐步形成。CPU其设计并未是如此多样而昂贵，但用于放有3D其设计和它们中间的高压电子元件元件算法或关键技术的发展软件还不存在。这些其设计关键技术的发展软件只能仿真传统工艺和烧录实现的简单既有、3D IC中间的热力串扰以及烧录子系统的特定操作者可变性和安全性。

从新涂料和从新手工关键技术在科学研究里面被开发显现出来后只能转既有为大生产能力原涂料。将科学研究级仪器夺得的不足之处转既有到目前可用仿造仪器的大规仿效造，是科学实验到的工厂转既有所面临的严酷再一（“lab to fab”）。科研界将需越来越现代既有的仿造仪器，并且需最大既有加长学习的构思-操作者-分析的周期（“conceive-conduct-yze”）。

热力难题（Thermal issues）将成为万亿级3D实现CPU蓬勃发展的放宽，就像引道效应顾虑了2D图层一样。但这并不意味着子系统性的落幕。算显现出的最终目标不是千分之透过的指令集，而是千分之执行的反馈。在这不足之处，微生物学给予了一个所称南。生命体的感官在将反馈回传到大脑以后先在局部执行反馈。增强与仿真世界接口的边缘特别其设计能力，辅以本地缓存和图像执行(边缘分析)，可以防止数据泛滥进而动弹不得高压电脑。

高压电子元件学正处于一个拐点（Inflection point）。75年来，人们以前有只不过把真空管认真得越来越小，但这就就会成为将来几十年握续发展的动力装置。如果子系统性被表达出来为是所称每个实现子系统里面真空管数目的减低(这不是每个CPU)，那么子系统性就就就会落幕。真空管数目的减低就就会通过缩小它们的体积来意味着，而是通过将它们侧向移位或外侧组合在多样的烧录里面，最终逐步形成单片3DCPU并减低从新功能。

从碳纳米管高压电子元件学(专注于降低真空管外观上)到万亿级高压电子元件学(由减低真空管数目和子系统性从新功能驱动)的背离假设了认识论背离和将来的整体科学研究再一。它需在涂料、仪器、手工以及生命体迄今为止最多样的子系统其设计和仿造不足之处夺得根本性的握续发展。无论如何，高压电子元件隧穿和“热力经年累月”将成为3D实现蓬勃发展的放宽（electrical tunneling and thermal bottleneck）。在此以后，随着科学研究人员化解这些显现异常多样的高压电子元件子系统的再一，子系统性只不过就会以后存在。

历史文献反馈：Lundstrom M S, Alam M A, 2022:378,722-723. 编译：暮大河

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来源：热力知

出版人：老头